Шаблон:Образ недели
Материал из Letopisi.Ru — «Время вернуться домой»
(Различия между версиями)
| Строка 1: | Строка 1: | ||
http://pics.livejournal.com/vacama/pic/00002zt5/s320x240.png | http://pics.livejournal.com/vacama/pic/00002zt5/s320x240.png | ||
| − | '''Транзистор''',составная часть процессора, изготовленный по технологии 45 нм (в огромном увеличении). Тёмные пятна слева, в центре и справа - исток, затвор и сток. Тонюсенькая чёрная линия, пересекающая кадр по горизонтали, - подзатворный диэлектрик. Он-то и является главным технологическим достижением на сегодняшний день, т.к. изготовлен из материала с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе ''гафния''. | + | '''Транзистор''',составная часть процессора, изготовленный по технологии 45 нм (в огромном увеличении). Тёмные пятна слева, в центре и справа - исток, затвор и сток. Тонюсенькая чёрная линия, пересекающая кадр по горизонтали, - подзатворный диэлектрик. Он-то и является главным технологическим достижением на сегодняшний день, т.к. изготовлен из материала с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе ''[[Гафний|гафния]]''. |
Интересно? Задавайте свои вопросы {{Шаблон:ЖЖ-юзер|vacama}} | Интересно? Задавайте свои вопросы {{Шаблон:ЖЖ-юзер|vacama}} | ||
Версия 11:42, 24 ноября 2007
Транзистор,составная часть процессора, изготовленный по технологии 45 нм (в огромном увеличении). Тёмные пятна слева, в центре и справа - исток, затвор и сток. Тонюсенькая чёрная линия, пересекающая кадр по горизонтали, - подзатворный диэлектрик. Он-то и является главным технологическим достижением на сегодняшний день, т.к. изготовлен из материала с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе гафния.
